2021年8月10日NEO半导体已获得了NAND技术的专利，具有SLC速度的QLC闪存

　　在2020虚拟闪存峰会期间，NEO半导体首席执行官兼创始人Andy Hsu展示了一种新颖的NAND技术。这是被称为X-NAND的闪存技术，其特点是将SLC的速度与QLC的高密度与低价结合在一起。据Blocks And Files报道，NEO半导体已获得了NAND技术的专利。这家位于圣何塞的公司成立于2012年，目前拥有20多项与内存相关的专利，而且还在不断研发中。

　　自NAND闪存诞生以来，一直没有停下发展的脚步，基本上都是追求更高的存储密度。从最初的SLC一直发展到现在的QLC，存储密度有了大幅度提升，但随着单元中位数增加，读写速度相对更低了，而且耐用性也变差了。

　　X-NAND技术旨在拥有单级单元(SLC)NAND闪存的速度，同时提供四级单元(QLC)NAND闪存的容量，并尽可能以最小的尺寸实现这一目标。据称，X-NAND的随机读写与写入比QLC闪存快三倍，连续读取快27倍，连续写入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同样16 planes的NAND闪存的37%，还可以根据实际需要缩减芯片的尺寸，功耗也更低。

　　X-NAND技术可以与现有的任何NAND闪存配合使用，不需要进行结构更改，没有额外的制造成本，从而提高了灵活性并简化了转换速度。未来NEO半导体很可能会将X-NAND技术授权给NAND闪存芯片的制造商，包括Kioxia(铠侠)、美光、三星和SK海力士等。