2021年8月10日NEO半导体已获得了NAND技术的专利,具有SLC速度的QLC闪存

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  在2020虚拟闪存峰会期间,NEO半导体首席执行官兼创始人Andy Hsu展示了一种新颖的NAND技术。这是被称为X-NAND的闪存技术,其特点是将SLC的速度与QLC的高密度与低价结合在一起。据Blocks And Files报道,NEO半导体已获得了NAND技术的专利。这家位于圣何塞的公司成立于2012年,目前拥有20多项与内存相关的专利,而且还在不断研发中。

  自NAND闪存诞生以来,一直没有停下发展的脚步,基本上都是追求更高的存储密度。从最初的SLC一直发展到现在的QLC,存储密度有了大幅度提升,但随着单元中位数增加,读写速度相对更低了,而且耐用性也变差了。

  X-NAND技术旨在拥有单级单元(SLC)NAND闪存的速度,同时提供四级单元(QLC)NAND闪存的容量,并尽可能以最小的尺寸实现这一目标。据称,X-NAND的随机读写与写入比QLC闪存快三倍,连续读取快27倍,连续写入快14倍。此外芯片的尺寸更小,Die Size只有同样16 planes的NAND闪存的37%,还可以根据实际需要缩减芯片的尺寸,功耗也更低。

  X-NAND技术可以与现有的任何NAND闪存配合使用,不需要进行结构更改,没有额外的制造成本,从而提高了灵活性并简化了转换速度。未来NEO半导体很可能会将X-NAND技术授权给NAND闪存芯片的制造商,包括Kioxia(铠侠)、美光、三星和SK海力士等。


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